Electrical and optical properties of heavily Ge-doped AlGaN

  1. Blasco, R.
  2. Ajay, A.
  3. Robin, E.
  4. Bougerol, C.
  5. Lorentz, K.
  6. Alves, L.C.
  7. Mouton, I.
  8. Amichi, L.
  9. Grenier, A.
  10. Monroy, E.
Revista:
Journal of Physics D: Applied Physics

ISSN: 1361-6463,  0022-3727

Año de publicación: 2019

Volumen: 52

Número: 12

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/1361-6463/AAFEC2 GOOGLE SCHOLAR

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