Influence of the AlN interlayer thickness on the photovoltaic properties of in-rich AlInN on Si heterojunctions deposited by RF sputtering

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  10. Olea, J.
  11. Naranjo, F.B.
Zeitschrift:
AIP Advances

ISSN: 2158-3226

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 8

Nummer: 11

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.5041924 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor

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